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金属氧化物半导体集成电路
jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù词语jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù
注音ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ
基本解释
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。
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